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内光电效应是什么

关键词:内光电效应,传感器

日期:2018-08-24作者:
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  传感器的内光电效应是什么?今天小编给大家介绍一下有关这方面的知识:

  当光照射到半导体表面时,光子的能量被半导体中的电子吸收,从而使电子逸出从半导体表面的表面到周围的空间。这种现象可以用来制作阴极射线管、光电倍增管和摄像管的时间等。
        这里的电子没有逃脱光电子的形成,但显然有一个光由于电效应。因此,这种光电效应是一种内光电效应。从理论和实验的结果中,我们可以看到,在入射光的能量在价带到导带的电子跃迁的限制,Eλ= H V 0 =如,其中V 0         是低频率的限制,称为临界频率v 0 =呃。这种关系也可以在长波极限,即表示,0 = hceg。入射光频率大于或小于0的波长λ0,电子带间跃迁发生。

  具有带隙的半导体材料的价态和导带,其能隙一般是:在一般情况下,电子不自发地在价带上的导带,所以半导体材料的导电性比导体好得多。但如果在某种程度上对电子在价带能量,将激发到导带和形成的载体,导电性的增加。光是一种激励模式。当入射光能量H V等于或大于例如(例如是带隙),在吸收的光子能量的导带中的电子和过渡到导带,并在价带上留下一个洞,形成一个导电的电子-空穴对。

  当入射光的能量小,不能使电子从价带向导带,就有可能使电子吸收的光,在一个波段的分能级结构(图1中的每一波段的细线)之间的转换